Caracteristici de carbură de siliciu
Materialele din carbură de siliciu, denumite și carborundum, sunt utilizate pe scară largă în rulmenți cu bile ceramice, supape, materiale semiconductoare, gyros, instrumente de măsurare, aerospațial și alte câmpuri și au devenit un material de neînlocuit în multe domenii industriale.
Carbură de siliciu este un superlativ natural și un polimorf tipic omogen. Deoarece diferența dintre secvențele de stivuire a stratului diatomic Si și C duce la diferite structuri cristaline, există mai mult de 200 de polipuri omogene (cunoscute în prezent). Prin urmare, SiC este foarte potrivit pentru utilizare ca o nouă generație de materiale de substrat cu diodă (LED), materiale electronice de mare putere.
Proprietate fizică
O duritate mare-3000kg / mm2, poate tăia Rubinul
Rezistență la uzură ridicată, chiar în spatele diamantului
Conductivitatea termică este de 3 ori de Sic și de 8-10 ori de GaAs,
Stabilitatea termică a SIC este pe partea ridicată, imposibil de topit la presiunea atmosferică.
Performanțe bune de disipare a căldurii, foarte importante pentru dispozitivele de mare putere
Rezistent la coroziune și poate rezista aproape la orice agent coroziv cunoscut la temperatura camerei.
Suprafața sic este ușor de oxidat pentru a forma un strat subțire de SIO2, care împiedică oxidarea ulterioară
Când temperatura este mai mare decât 1700 grade, filmul de oxid se topește și se oxidează rapid
Diferența de bandă de 4-sic și 6h sic este de aproximativ 3 ori de Si, de 2 ori de GaAs, intensitatea câmpului electric de descompunere este mai mare decât Si de un ordin de mărime, iar viteza de derivare a electronului saturat este de 2,5 ori de Si, banda decalajul 4H SiC este mai mare decât 6h SiC.
